如何控制潔凈室溫度、濕度、氣壓和氣流速度
作者： 深圳市中凈環球凈化科技有限公司發表時間：2018-06-25 16:13:20瀏覽量：3737【小中大】
潔凈室的主要功能是提供一個健康的生活和生產環境,創造一個滿足照明、溫度、濕度、噪音、空氣流量、壓力、靜態和衛生指標如微振動環境,使相關的服務和產品,以滿足人們的健康需求的環境,提供一個良好的...
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潔凈室的主要功能是提供一個健康的生活和生產環境,創造一個滿足照明、溫度、濕度、噪音、空氣流量、壓力、靜態和衛生指標如微振動環境,使相關的服務和產品,以滿足人們的健康需求的環境,提供一個良好的空間,環境控制,從而有效地提高產品的合格率,改善和提高服務質量的相關目標。
因此，潔凈室有很多因素需要控制。溫度、濕度、氣壓和氣流速度是關鍵點。
潔凈室溫濕度控制
潔凈室的溫濕度主要根據工藝要求確定，但在滿足工藝要求的條件下，要考慮人的舒適性。隨著空氣清潔度要求的提高，對溫度和濕度的要求越來越嚴格。
凈化工程溫度的具體要求將在后面列出，但作為一般原則，隨著加工精度的提高，對溫度波動范圍的要求會越來越小。例如，在大規模集成電路產生的光刻曝光過程中，玻璃與硅片作為掩模材料的熱膨脹系數差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值較低，因為人出汗以后，對產品可能有污染，特別是鈉的半導體車間，這種車間不應超過25度。
高濕度會導致更多的問題。當相對濕度超過55%時，冷卻水管壁暴露。如果它發生在精密設備或電路中，就會引起各種事故。相對濕度往往在50%生銹。此外，當濕度很高時，附著在硅片表面的灰塵會被空氣中的水分子化學地附著在表面，這是很難去除的。相對濕度、粘結力越高，則越難去除，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電顆粒對表面吸附的影響，還容易對大量半導體器件產生擊穿。硅片生產的最佳溫度范圍是35 - 45%。
潔凈室的氣壓規定
對于大多數潔凈空間，需要保持內部壓力(靜壓)高于外部壓力(靜壓)，以防止外部污染的侵入。壓差的維護一般應遵循以下原則:
(1)潔凈空間的壓力高于不潔凈空間的壓力。
(2)高潔凈度空間的壓力高于低潔凈度相鄰空間的壓力。
(3)相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間。
壓差取決于新風量，新風量可以補償在這個壓差下通過裂縫泄漏的空氣量。所以壓強差的物理意義是空氣通過潔凈室不同縫隙的阻力。
潔凈室中的氣流速度規定
這里討論的氣流速度是指潔凈室內的氣流速度。在討論具體設備時，將說明其他潔凈室的氣流速度。
對于湍流潔凈室由于稀釋作用主要通過空氣來減少室內污染，所以主要采用空氣改變這一概念，不直接采用速度概念，但室內空氣速度有以下要求;
(1)供氣出口氣流速度不宜過高。與純空調房間相比，速度下降較快，擴散角較大。
(2)送風率的風機風速等級(如側送)不應過大，以免顆粒在表面回流，造成污染，一般不宜達到0.2m /s的速度。
對于平行流潔凈室(傳統上稱為層流潔凈室)，速度在橫截面上是一個重要的指標，因為它主要是由氣流“活塞擠壓”來驅動，以去除染料。過去，美國20gB的標準是0.45米/秒。然而，眾所周知，如此高速所需的通風量是非常大的。為了節約能源，人們正在探索降低一種風速的可行性。
在我國，空氣凈化的技術措施和清潔工廠的設計規范如下:
(1)垂直平行流(層流)潔凈室大于或等于0.25m/s
(2)水平平行流(層流)潔凈室大于或等于0.35m/s研究表明，上述規定基本符合污染控制的要求，但認為不同的情況應劃分為不同的等級，以便更好地反映節能的目的。
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